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半導(dǎo)體行業(yè)薄膜沉積設(shè)備腔室清潔終點(diǎn)檢測(cè)解決方案

1.腔室清潔終點(diǎn)精確控制的重要性與挑戰(zhàn)薄膜沉積(如CVD/ALD)、光刻和刻蝕是半導(dǎo)體制造的三大核心工藝,其中薄膜沉積作為基礎(chǔ)環(huán)節(jié),負(fù)責(zé)金屬、介質(zhì)及半導(dǎo)體薄膜的制備。為確保薄膜沉積工藝的穩(wěn)定性,需定期使用NF?對(duì)腔室進(jìn)行清潔,以去除積聚的聚合物材料。精確控制清潔終點(diǎn)至關(guān)重要:l清潔不足:殘留沉積物會(huì)形成顆粒污染,導(dǎo)致產(chǎn)品良率下降l過度清潔:增加NF?消耗、延長(zhǎng)設(shè)備停機(jī)時(shí)間并縮短腔室壽命。傳統(tǒng)方法依賴經(jīng)驗(yàn)時(shí)間控制清潔終點(diǎn),但最佳清潔時(shí)間受多變量影響(如沉積厚度、溫度、壓力、氣體...

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